| 发明名称 | 制造高熔点苯氧基丙酸衍生物晶体的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造高熔点晶体的方法，其特征在于在从50℃至低熔点晶体熔点以下的温度范围内，加热低熔点晶体、或低熔点晶体和高熔点晶体的形式的乙基＝(R)-2-[4-(6-氯-2-喹喔啉基氧)苯氧基]丙酸酯。 | ||
| 申请公布号 | CN1183120C | 申请公布日期 | 2005.01.05 |
| 申请号 | CN99805361.9 | 申请日期 | 1999.04.14 |
| 申请人 | 日产化学工业株式会社 | 发明人 | 安川真己;桑原慎治 |
| 分类号 | C07D241/44 | 主分类号 | C07D241/44 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 白益华 |
| 主权项 | 1.一种制造乙基＝(R)-2-[4-(6-氯-2-喹喔啉基氧)苯氧基]丙酸酯的高熔点晶体的方法，其特征在于：在从50℃至低熔点晶体熔点以下的温度范围内，加热不含结晶用的溶剂的低熔点晶体、或低熔点晶体和高熔点晶体的形式的乙基＝(R)-2-[4-(6-氯-2-喹喔啉基氧)苯氧基]丙酸酯。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||