半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之课题为，使用低介电常数绝缘膜作为层间绝缘膜之半导体装置的制造步骤中，降低作用在配线层及层间绝缘膜的应力。本发明之解决手段为，由机械强度比利用CVD法所成膜之氧化矽膜等无机系绝缘膜更低的低介电常数绝缘膜所构成的层间绝缘膜15、17上，形成有多层埋入式配线20的半导体装置中，将下层没有配置低介电常数绝缘膜的第1层配线13设为焊垫，且将凸块电极24形成于配线13上，使该凸块电极24的高度低于最上层埋入式配线20的形成位置。