| 摘要 |
本发明揭示一种拟晶性高电子迁移率电晶体(pHEMT’s)，具有一n^＋／p^＋／n异质结构驼峰式闸极及一单原子层掺杂结构。以n^＋–GaAs／p^＋–InGaP／n–InGaP驼峰式闸极之单原子层掺杂InGaP／InGaAs／GaAs pHEMT’s为例，由于p^＋–InGAP闸极至通道为p–n空乏及InGaP／InGaAs异质接面具有大的导电带不连续值(ΔEc)，闸极导通电压可高于1.7V。且因所加之闸极电压部分落于驼峰式闸极及载子调变之影响，总空乏层厚度变化相当小，可同时获得高汲极电流及高线性转导特性。本发明元件适于线性、大讯号放大器及高频电路应用。 |
