发明名称 唯读记忆单元及其制造方法
摘要 一种唯读记忆单元及其制造方法,该唯读记忆单元具有一基底、复数条位元线、复数位元线绝缘层、一闸极介电层以及一字元线。位元线形成于该基底之上。位元线绝缘层设置于该等位元线上方。闸极介电层设置于该等位元线之间的该基板上方,并包括一富矽氧化层。字元线设于该等位元线绝缘层以及该闸极介电层之上。
申请公布号 TW200501329 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW092117375 申请日期 2003.06.26
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 萧清南;赖朝松;黄永孟;庄英政
分类号 H01L21/8246 主分类号 H01L21/8246
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路六六九号