发明名称 | 唯读记忆单元及其制造方法 | ||
摘要 | 一种唯读记忆单元及其制造方法,该唯读记忆单元具有一基底、复数条位元线、复数位元线绝缘层、一闸极介电层以及一字元线。位元线形成于该基底之上。位元线绝缘层设置于该等位元线上方。闸极介电层设置于该等位元线之间的该基板上方,并包括一富矽氧化层。字元线设于该等位元线绝缘层以及该闸极介电层之上。 | ||
申请公布号 | TW200501329 | 申请公布日期 | 2005.01.01 |
申请号 | TW092117375 | 申请日期 | 2003.06.26 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 萧清南;赖朝松;黄永孟;庄英政 |
分类号 | H01L21/8246 | 主分类号 | H01L21/8246 |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路六六九号 |