具有几何形状沟槽之沟槽型电容的制程

摘要

本发明提供一种具有几何形状沟槽之沟槽型电容的制程，包括：提供一具有一垫层结构之基底；形成一第一硬罩幕层于该垫层结构上；形成一图案化之第二硬罩幕层于该第一硬罩幕层上，露出一第一开口；形成一间隔层于该第一开口之侧壁以构成一较小之第二开口；形成一第三硬罩幕层以填满该第二开口；去除该间隔层，蚀刻该第一硬罩幕层，露出一第三开口，且该第一硬罩幕层于该第三开口内具有一第一硬罩幕层突出部份；以及蚀刻该第一硬罩幕层、该第一硬罩幕层突出部份、该垫层结构及该基板，以形成一具一中间突出部份之几何形状沟槽于该基板中。