具有回路式图案结构且可结合交替式相移光罩之记忆体装置以及制造该记忆体装置的方法

摘要

本发明系关于一种上面具有暗回圈的交替式相移光罩(alternating phase shift mask)、可结合该交替式相移光罩之记忆体阵列以及制造该记忆体阵列之方法。其中，在光罩中的暗回圈，是用来区别具有180°相位差的第一区域与具有0°相位差的第二区域，以定义DRAM晶片内部的主动区或闸极线，利用该交替式相移光罩，可用来在DRAM阵列中绘制闸极线或主动区，因此，便可在该DRAM阵列中建立无干扰之图像，并且只需一次的曝光便可达到高解析度的需求。