| 主权项 |
1.一种镀铜用溶液,其包括一价或二价铜离子,错合 剂和用来阻止铜钳合物脱去钳合剂并沈积在基板 表面上作为添加剂之有机硫化合物, 其中,该铜离子的浓度范围为0.1至100克/升,该错合 剂的浓度范围为0.1至500克/升,该添加剂的浓度范 围为0.1至500毫克/升,且该液体pH値范围为7至14。 2.如申请专利范围第1项之镀铜用溶液,复包括一作 为添加剂之界面活性剂。 3.如申请专利范围第1项之镀铜用溶液,其中,该有 机硫化合物为一种或多种有机硫化物化合物或有 机多硫化物化合物。 4.一种在具有覆盖晶种层的微小凹处的基板上进 行镀覆、以在该微小凹处上填充金属之方法,其包 括经由使该基板表面与镀覆溶液相接触以对该基 板表面进行镀覆,该镀覆溶液包括一价或二价铜离 子,错合剂及作为添加剂之有机硫化合物, 其中,该镀覆溶液具有在0.1至100克/升范围内的铜 离子浓度,在0.1至500克/升范围内的错合剂浓度,在0 .1至500毫克/升范围内的有机硫化合物浓度,且该液 体pH値为7至14。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中,该镀覆溶液 复包括一作为添加剂之界面活性剂。 6.如申请专利范围第4项之方法,其中,该镀覆溶液 内的该有机硫化合物为一种或多种有机硫化物化 合物或有机多硫化物化合物。 7.一种在具有覆盖障壁层的微小凹处之基板上进 行镀覆、以在该微小凹处上填充金属之方法,其包 括经由使该基板表面与镀覆溶液相接触以对该基 板表面进行镀覆,该镀覆溶液包括一价或二价铜离 子,错合剂及作为添加剂之有机硫化合物, 其中,该镀覆溶液具有在0.1至100克/升范围内的铜 离子浓度,在0.1至500克/升范围内的错合剂浓度,在0 .1至500毫克/升范围内的有机硫化合物浓度,且该液 体pH値为7至14。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中,该镀覆溶液 复包括作为添加剂之界面活性剂。 9.如申请专利范围第7项之方法,其中,该镀覆溶液 内之有机硫化合物为一种或多种有机硫化物化合 物或有机多硫化物化合物。 10.一种在具有覆盖晶种层的微小凹处之基板上进 行镀覆、以在该微小凹处上填充金属之方法,其包 括: 经由使该基板表面与第一镀覆溶液接触,进行该基 板表面的第一阶段镀覆;及 经由使基板表面与第二镀覆溶液接触,进行该基板 表面的第二阶段镀覆; 其中,该第一镀覆溶液包括一价或二价铜离子,错 合剂及作为添加剂之有机硫化合物,且该第二镀覆 溶液具有一有优良均镀性质之组成, 其中,该第一镀覆溶液具有在0.1至100克/升范围内 的铜离子浓度,在0.1至500克/升范围内的错合剂浓 度,在0.1至500毫克/升范围内的有机硫化合物浓度, 且该液体pH値为7至14。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中,该第一镀覆 溶液复包括作为添加剂之界面活性剂。 12.如申请专利范围第10项之方法,其中,在该第一镀 覆溶液内之有机硫化合物为一种或多种有机硫化 物化合物或有机多硫化物化合物。 13.一种在具有覆盖障壁层的微小凹处之基板上进 行镀覆、以在该微小凹处上填充金属之方法,其包 括: 经由使该基板表面与第一镀覆溶液接触,进行该基 板表面的第一阶段镀覆;及 经由使该基板表面与第二镀覆溶液接触,进行该基 板表面的第二阶段镀覆; 其中,该第一镀覆溶液包括一价或二价铜离子,错 合剂,及作为添加剂之有机硫化合物,且该第二镀 覆溶液具有一有优良均镀性质之组成, 其中,该第一镀覆溶液具有在0.1至100克/升范围内 的铜离子浓度,在0.1至500克/升范围内的错合剂浓 度,在0.1至500毫克/升范围内的有机硫化合物浓度, 且该液体pH値为7至14。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中,该第一镀覆 溶液复包括作为添加剂之界面活性剂。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中,该第一镀覆 溶液内之有机硫化合物为一种或多种有机硫化物 化合物或有机多硫化物化合物。 16.一种镀覆装置,其包括: 第一镀覆区,用来在具有覆盖障壁层及/或晶种层 的微小凹处之基板表面上进行第一阶段镀覆; 第一镀覆溶液供料区,用来将第一镀覆溶液供给到 在该第一镀覆区中的镀覆室; 第二镀覆区,用来对已经完成该第一阶段镀覆的基 板表面进行第二阶段镀覆; 第二镀覆溶液供料区,用来将第二镀覆溶液供给到 在该第二镀覆区中的镀覆室;以及 传送区,用来将该基板从该第一镀覆区传送到该第 二镀覆区; 其中,该第一镀覆溶液具有一有优良的均匀电沈积 性质之组成,并包括一价或二价铜离子,错合剂,及 作为添加剂之有机硫化合物,且该第二镀覆溶液具 有一有优良均镀性质之组成。 17.如申请专利范围第16项之镀覆装置,其中,该第一 镀覆溶液具有在0.1至100克/升范围内的铜离子浓度 ,在0.1至500克/升范围内的错合剂浓度,在0.1至500毫 克/升范围内的有机硫化合物浓度,且该液体pH値为 7至14。 18.如申请专利范围第16项之镀覆装置,其中,该第一 镀覆溶液复包括作为添加剂之界面活性剂。 19.如申请专利范围第16项之镀覆装置,其中,在该第 一镀覆溶液内之该有机硫化合物为一种或多种有 机硫化物化合物或有机多硫化物化合物。 图式简单说明: 第1图为一镀覆装置具体实例的平面图; 第2图为显示第1图所示镀覆装置中的气流之示意 图; 第3图为显示第1图所示镀覆装置内诸部位中的气 流之截面图; 第4图为第1图所示镀覆装置放在一洁净室内的透 视图; 第5图为显示出在镀覆过程中整个镀覆区结构的截 面图; 第6图为在镀覆区中镀覆溶液流动之示意图; 第7图为显示出在非镀覆过程中(在传送基板时)整 个镀覆区结构的截面图; 第8图为显示出在维护时整个镀覆区结构的截面图 ; 第9图为解释在腔体转变基板时,冲压环和基板之 间的关系之截面图; 第10图为第9图一部分的放大图; 第11A至11D图为解释在镀覆和非镀覆过程中镀覆溶 液流动之示意图; 第12图为显示出在镀覆区中中心机构的放大截面 图; 第13图为显示出镀覆区中输电接触器(探针)的截面 图; 第14图为显示出根据本发明镀覆方法之具体实例 的程序步骤流程之流程图; 第15图为显示出在两个具有不同极化的不同镀铜 用溶液中的电压与电流密度之间的关系之图解。 第16图为显示出根据本发明镀覆方法之另一具体 实例的程序步骤流程之流程图; 第17图显示出当有机硫化合物(Ⅲ-(4))的量变化为:0 ppm,1 ppm,5 ppm,10 ppm和25 ppm时,错合槽7的电流一电压 曲线; 第18A图为显示出要经由电镀填入铜的通孔所具形 状之图; 第18B图为显示出利用SEM观察到的一个底部空隙之 图; 第18C图为显示出利用SEM观察到的一个狭缝空隙之 图; 第19A至19C图为显示出在一程序步骤序列中经由镀 铜形成铜连接座的图; 第20A和20B图显示出利用传统方法所形成的晶种层 和所具空隙状态之截面图; 第21图为另一种基板镀覆装置的平面图; 第22图为又另一种基板镀覆装置的平面图; 第23图为又另一种基板镀覆装置的平面图; 第24图为显示出一种半导体基板加工装置平面结 构实例之图; 第25图为显示出另一种半导体基板加工装置平面 结构实例之图; 第26图为显示出又另一种半导体基板加工装置平 面结构实例之图; 第27图为显示出又另一种半导体基板加工装置平 面结构实例之图; 第28图为显示出又另一种半导体基板加工装置平 面结构实例之图; 第29图为显示出又另一种半导体基板加工装置结 构平面结构实例之图; 第30图为显示出采用第29图中所示半导体基板加工 装置中个别步骤的流程图; 第31图为显示出斜削面和背部清洁单元之实例的 示意结构图; 第32图为显示出一种无电镀覆装置之实例的示意 结构图; 第33图为显示出一种无电镀覆装置之另一实例的 示意结构图; 第34图为退火单元之实例的垂直截面图;以及 第35图为退火单元的横截图。 |
