| 发明名称 |
Storage node contact forming method and structure for use in semiconductor memory |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US2004266101(A1) |
申请公布日期 |
2004.12.30 |
| 申请号 |
US20040875004 |
申请日期 |
2004.06.22 |
| 申请人 |
PARK JE-MIN;HWANG YOO-SANG;YUN CHEOL-JU |
发明人 |
PARK JE-MIN;HWANG YOO-SANG;YUN CHEOL-JU |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L23/485;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824;H01L21/823;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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