发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置(100),它具有各引线端子(11a~11h),在各引线端子的露出部分(12a~12h)的前端面(13a~13h)形成切口面(15a~15h),切口面(15a~15h)上实施了能够提高焊料浸润性的电镀。
申请公布号 CN1559085A 申请公布日期 2004.12.29
申请号 CN02818861.6 申请日期 2002.09.27
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 榊原正之;森下胜
分类号 H01L23/50;H01L23/12;H01L23/28 主分类号 H01L23/50
代理机构 上海市华诚律师事务所 代理人 徐申民
主权项 1.一种半导体装置,在具有多个引线端子的引线框架上搭载有半导体元件,各所述多个引线端子分别和半导体元件电连接,搭载所述半导体元件的所述引线框架的搭载侧与各引线端子间两者用树脂模压成型,其特征在于,各所述多个引线端子的露出部分的前端面用比引线框架的材料焊料浸润性好的金属进行电镀。
地址 日本静冈县浜松市