| 主权项 |
1.一种缺陷原因分析方法,其包含有下列步骤:提供一样本(sample),该样本之上表面上具有复数个缺陷;进行一缺陷检测(defect inspection),以侦测出该等缺陷之大小及位置;对该样本进行一之化学组成分析;根据该化学组成分析之结果来进行一图谱分析(mapping);以及根据该图谱分析之结果来判别该等缺陷之产生原因。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该方法于完成缺陷检测后,另包含有一缺陷分类步骤,以将判别该等缺陷之缺陷种类,并根据该等缺陷之缺陷种类采用对应之化学成分分析方式。3.如申请专利范围第1项的方法,其中当该等缺陷之大小小于0.2微米或非单相组成粒子时,该化学组成分析系利用欧杰电子(auger electron)来进行侦测。4.如申请专利范围第3项的方法,其中该方法系利用一扫描式欧杰电子显微镜(scanning auger microscopy, SAM)或一欧杰电子光谱仪(auger electron spectroscopy, AES)来对该样本进行化学组成分析。5.如申请专利范围第1项的方法,其中当该等缺陷之大小大于0.2微米、具单一相或为较厚的粒子时,该化学组成分析系利用一能量散布分析仪(energydispersive spectrometer, EDS)来进行侦测。6.如申请专利范围第1项的方法,其中该化学组成分析的方法系包含有定点扫描(point scan)、去层次(delayer)结构分析、或是纵深浓度(depth profile)分析。7.一种缺陷原因分析方法,其包含有下列步骤:提供一样本(sample),该样本内具有复数个缺陷;进行一电压对比(voltage contrast),以辨别出该等缺陷之位置;利用一聚焦离子束(focus ion beam, FIB)对该样本进行切割,以使该样本之一剖面露出;以及利用欧杰电子(auger electron)对该样本之剖面进行一化学组成分析;根据该化学组成分析之结果来进行一图谱分析(mapping);以及根据该图谱分析之结果来判别该等缺陷之产生原因。8.如申请专利范围第7项的方法,其中该方法系利用一扫描式欧杰电子显微镜(scanning auger microscopy, SAM)或一欧杰电子光谱仪(auger electron spectroscopy, AES)来对该样本之剖面进行化学组成分析。9.如申请专利范围第7项的方法,其中该化学成分分析的方法系以定点扫描(point scan)扫描的方式来进行。图式简单说明:图一为一习知技术中一缺陷原因分析方法示意图。图二为一本发明中一缺陷原因分析方法示意图。图三为一本发明第一实施例中之一缺陷原因分析方法示意图。图四为本发明第一实施例中一组成分布图谱之示意图。图五为一本发明第二实施例中之一缺陷原因分析方法示意图。图六为本发明第二实施例中一组成分布图谱之示意图。 |
