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经营范围
发明名称
半导体基底、半导体装置、及其制造方法
摘要
一种半导体装置包含多孔层;形成于多孔层上且具有半导体区的结构,其剖面形状高度大于宽度;施加应力来应变该结构的应变感应区。
申请公布号
TW200428472
申请公布日期
2004.12.16
申请号
TW093115344
申请日期
2004.05.28
申请人
佳能股份有限公司
发明人
口清文;佐藤信彦
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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