发明名称 半导体基底、半导体装置、及其制造方法
摘要 一种半导体装置包含多孔层;形成于多孔层上且具有半导体区的结构,其剖面形状高度大于宽度;施加应力来应变该结构的应变感应区。
申请公布号 TW200428472 申请公布日期 2004.12.16
申请号 TW093115344 申请日期 2004.05.28
申请人 佳能股份有限公司 发明人 口清文;佐藤信彦
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本