具备沟渠分离之半导体装置

摘要

本发明之具备沟渠分离之半导体装置含有形成在半导体基板(1)之表面之沟渠(2)，及将该沟渠(2)内填埋并具其上面全体为位于半导体基板(1)之表面更上方之埋设绝缘层(3)。埋设绝缘层(3)之由半导体基板(1)的表面凸出的部分具有于半导体基板(1)的主表面上由沟渠(2)之正上方区域更向外侧伸出之伸出部，该伸出部至少含有二层之绝缘层(3b2、3c)积层的构成。由此得以抑制逆窄通道效应并获得高可靠性闸极绝缘层之具备沟渠分离之半导体装置。