垂直各向异性铁基软磁薄膜的制备方法

摘要

一种垂直各向异性铁基软磁薄膜的制备方法，属于磁性材料制备技术领域，用射频磁控溅射方法在基片上制备铁基软磁薄膜，完成制备后在适当温度退火，不加外磁场或在垂直于膜面的外磁场内冷却，得到垂直各向异性铁基软磁薄膜，基片为载玻片或硅片，靶材为铁基软磁合金：Fe_70+xCu₁Nb₃Si_17－xB₉或Fe_68+xCu₁Cr₂V₄Si_16－xB₉，x为0～5，有制备工艺简单，效率高，成本低的优点，本发明制备的产品性能优良和稳定：薄膜附着力强，膜层厚度均匀，薄膜成分相对靶材成分变化小，重复性好，这对高密度垂直磁记录及磁光存储等技术领域具有很大的应用价值。

主权项

1.一种垂直各向异性铁基软磁薄膜的制备方法，其特征在于，用射频磁控溅射方法在基片上制备铁基软磁薄膜，完成制备后在适当温度退火，不加外磁场或在垂直于膜面的外磁场内冷却，得到垂直各向异性铁基软磁薄膜，包括以下步骤：基片为载玻片或硅片，靶材为铁基软磁合金；第一步 基片清洗把基片在超声波清洗机器内的浴液清洗两次，每次30分钟，两次清洗的浴液分别为丙酮和乙醇，每一次清洗后用去离子水冲洗；第二步 射频磁控溅射制膜采用射频磁控溅射方法在基片上制备铁基软磁薄膜，开始溅射前本底真空为1.0×10-4Pa，基片与靶材均采用水冷，溅射时氩气压强和流量分别为0.6～3.0Pa和14～85ml/min，功率为100～200W，制膜前，先预溅靶材1小时，薄膜厚度由溅射时间控制，溅射沉淀速率控制在0.1～0.3nm/sec.，膜厚为1～4μm；第三步：退火热处理氮气保护下对薄膜进行退火，温度为380～420℃，时间为20～40分钟，氮气保护下不加外磁场或在外磁场中自然冷却，加外磁场时磁场的方向垂直于膜面，磁场强度为1.2～3.2×104A/m，制得成品，垂直各向异性铁基软磁薄膜。