发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 在半导体装置和半导体装置的制造方法中,象素部分205的源极电线126是由低阻的材料(具有代表性的是铝,银,铜)而形成的。驱动电路的源极电线是在与象素部分的栅极电线162和象素电极163相同的形成过程中形成的。
申请公布号 CN1554974A 申请公布日期 2004.12.15
申请号 CN200410054416.8 申请日期 2001.11.28
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;小山润
分类号 G02F1/136;H01L21/00 主分类号 G02F1/136
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 梁永
主权项 1.一种液晶显示器的制造方法,包括:在绝缘表面上形成半导体层;在上述半导体层上形成第一绝缘膜;在上述第一绝缘膜上形成栅电极;使用上述栅电极作为掩模将提供n型的第一杂质元素以第一浓度掺杂到上述半导体层中,以形成第一n型杂质区域;蚀刻上述栅电极以形成一锥形栅电极部;将提供n型的第二杂质元素以小于所述第一浓度的第二浓度掺杂到具有第一n型杂质区域的半导体层中,同时穿过上述锥形栅电极部以此在第一n型杂质区域和沟道形成区域之间形成第二n型杂质区域;形成第二绝缘膜以覆盖上述栅电极;以及在上述第二绝缘膜上形成一导线。
地址 日本神奈川县厚木市