发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
摘要 | 在半导体装置和半导体装置的制造方法中,象素部分205的源极电线126是由低阻的材料(具有代表性的是铝,银,铜)而形成的。驱动电路的源极电线是在与象素部分的栅极电线162和象素电极163相同的形成过程中形成的。 | ||
申请公布号 | CN1554974A | 申请公布日期 | 2004.12.15 |
申请号 | CN200410054416.8 | 申请日期 | 2001.11.28 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润 |
分类号 | G02F1/136;H01L21/00 | 主分类号 | G02F1/136 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
主权项 | 1.一种液晶显示器的制造方法,包括:在绝缘表面上形成半导体层;在上述半导体层上形成第一绝缘膜;在上述第一绝缘膜上形成栅电极;使用上述栅电极作为掩模将提供n型的第一杂质元素以第一浓度掺杂到上述半导体层中,以形成第一n型杂质区域;蚀刻上述栅电极以形成一锥形栅电极部;将提供n型的第二杂质元素以小于所述第一浓度的第二浓度掺杂到具有第一n型杂质区域的半导体层中,同时穿过上述锥形栅电极部以此在第一n型杂质区域和沟道形成区域之间形成第二n型杂质区域;形成第二绝缘膜以覆盖上述栅电极;以及在上述第二绝缘膜上形成一导线。 | ||
地址 | 日本神奈川县厚木市 |