发明名称 | 具有平面化层的凹陷的图象传感器和制做方法 | ||
摘要 | 本发明涉及制做图象传感器,特别是涉及彩色图象传感器。图象传感器包括区域MP,其中包括光敏矩阵,将被转换成电信号的图象投射在该光敏矩阵上,以及外部区域ZE,该外部区域ZE包括用于驱动该矩阵或用于处理图象信号的电子电路。在衬底30上形成用于产生矩阵和外围电路的导电层和绝缘层的层叠后,在沉积滤色器的拼接之前,仅在矩阵的区域MP中去除绝缘层的基本厚度以便降低滤色器相对于光敏区域的高度H1。这导致对比度和色度学方面的提高。 | ||
申请公布号 | CN1555578A | 申请公布日期 | 2004.12.15 |
申请号 | CN02818064.X | 申请日期 | 2002.09.10 |
申请人 | ATMEL格勒诺布尔公司 | 发明人 | 路易·布里索;阿梅代·索利耶 |
分类号 | H01L27/146;H01L31/0216 | 主分类号 | H01L27/146 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
主权项 | 1.一种在平面半导体衬底(30)上产生的集成图象传感器,所述传感器包括在所述衬底的表面的第一区域(MP)中的光敏单元矩阵以及在第二区域(ZE)中的外围电路,所述传感器由几层绝缘层(IS1至IS7)与被蚀刻的导电层(M1至M4)交替的层叠而产生,其中,所述绝缘层的层叠用作为用于被蚀刻的导电层的平面化层,所述传感器的特征在于,存在于所述第一区中的绝缘层的在半导体衬底之上的累积高度小于所述第二区域中绝缘层的累积高度。 | ||
地址 | 法国圣埃格雷沃 |