| 主权项 |
1.一种半导体载板,其结构系包括:一金属板,其上系形成有一贯穿之图案化通槽设计;及一填充材料,其系填充于该金属板之图案化通槽中,用以将该金属板分隔为复数区域。2.如申请专利范围第1项所述之半导体载板,其中该填充材料系为一绝缘材料,其系将该金属板隔绝为复数导电区域。3.如申请专利范围第1项所述之半导体载板,其中该填充材料系为一导电性材料,其系填充于该金属板特定之图案化通槽中,用以将该区域形成特殊电性区域。4.如申请专利范围第1项所述之半导体载板,其中在该金属板之复数区域表面更可经过一表面处理,以形成一导电层。5.如申请专利范围第4项所述之半导体载板,其中该导电层系选自无电镀锡、电镀锡、无电镀银、电镀镍金及无电镀镍浸金等之金属表面处理。6.如申请专利范围第1项所述之半导体载板,其中该金属板之图案化通槽设计系经过数次之选择性蚀刻方式所制作完成者。7.如申请专利范围第1项所述之半导体载板,其中该金属板之图案化通槽设计系经过数次之深控成型方式所制作完成者。8.如申请专利范围第1项所述之半导体载板,其中在该金属板上之晶片安装预定位置更可设有一容置槽,以供安装一晶片。9.如申请专利范围第1项所述之半导体载板,其中在该金属板表面或位于该填充材料上方更形成有一防焊罩幕层。10.如申请专利范围第1项所述之半导体载板,其中该填充材料系为树脂、银胶、铜胶、碳墨等种种阻隔或改变电性的材料。11.一种半导体载板之制造方法,包括下列步骤:提供一金属板,其上下表面系分别形成一第一图案化薄膜与一第一薄膜;以该第一图案化薄膜为罩幕,对该金属板进行半蚀刻,以形成复数个上凹槽,而后移除该第一图案化薄膜与该第一薄膜;于该些上凹槽内填塞填充物;在该金属板之上下表面分别形成一第二薄膜及一与该第一图案化薄膜相对应之第二图案化薄膜;及以该第二图案化薄膜为罩幕,对该金属板进行半蚀刻,以形成复数个下凹槽,使其配合该等上凹槽而形成复数通槽,用以将该金属板隔绝为复数导电区域,之后移除该第二图案化薄膜与该第二薄膜。12.如申请专利范围第11项所述之半导体载板之制造方法,其中在移除该第二图案化薄膜与第二薄膜之步骤后,更包括一在该金属板之该些下凹槽内填塞填充物。13.如申请专利范围第11项所述之半导体载板之制造方法,其中在该金属板之复数导电区域表面更经过一表面处理步骤,以形成一导电层。14.如申请专利范围第13项所述之半导体载板之制造方法,其中该导电层系选自无电镀锡、电镀锡、无电镀银、电镀镍金及无电镀镍浸金等之金属表面处理。15.如申请专利范围第11项所述之半导体载板之制造方法,其中形成该金属板之上、下凹槽系经过数次之选择性蚀刻方式所制作完成者。16.如申请专利范围第11项所述之半导体载板之制造方法,其中形成该金属板之上、下凹槽系经过数次之深控成型方式所制作完成者。17.如申请专利范围第11项所述之半导体载板之制造方法,其中该填塞之填充物材质系选自树脂、银胶、铜胶、碳墨等、阻隔及改变电性的材料。18.一种半导体封装元件,包括:一金属板,其上系形成有一贯穿之图案化通槽设计;一填充物,其系填充于该金属板之图案化通槽中,用以将该金属板隔绝为一晶片预定区域与复数导电区域;又一晶片,安装于该金属板上之晶片预定区域,并与该等导电区域形成电性连接。19.如申请专利范围第18项所述之半导体封装元件,其中在该金属板之复数导电区域表面更经过一表面处理,以形成一导电层。20.如申请专利范围第19项所述之半导体封装元件,其中该导电层系选自无电镀锡、电镀锡、无电镀银、电镀镍金及无电镀镍浸金等之金属表面处理。21.如申请专利范围第18项所述之半导体封装元件,其中更可在该金属板上环设有一环壁,该环壁上则设置一透明盖板或环壁内填充透明/不透明之树脂,以作为通讯元件之封装元件。22.如申请专利范围第18项所述之半导体封装元件,其中更包括一封装胶体包覆该晶片。23.如申请专利范围第18项所述之半导体封装元件,其中该金属板之图案化通槽系经过数次之选择性蚀刻方式所制作完成者。24.如申请专利范围第18项所述之半导体封装元件,其中该金属板之图案化通槽系经过数次之深控成型方式所制作完成者。25.如申请专利范围第18项所述之半导体封装元件,其中该填塞之材质系选自树脂、银胶、铜胶、碳墨、阻隔及改变电性的材料。26.如申请专利范围第18项所述之半导体封装元件,其中在该金属板上之晶片预定区域更设有一容置槽,以供容置安装该晶片。图式简单说明:第一(a)图至第一(k)图分别为本发明在制作半导体载板与其封装元件之各步骤构造剖视图。第二图为第一(a)图之俯视图。第三图为第一(e)图之俯视图。第四(a)图至第四(f)图分别为本发明另一实施例在制作半导体载板与其封装元件之各步骤构造剖视图。 |
