| 发明名称 | 处理绝缘层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种加热例如半导体器件中的绝缘层的方法，其中透过一层抗蚀剂蚀刻形成物，包括反应蚀刻抗蚀剂，防止吸收或除去蚀刻形成物的裸露表面上的水蒸气和/或氧气，在没有上述水蒸气和/或氧气的情况下用导电金属填充形成物。 | ||
| 申请公布号 | CN1178280C | 申请公布日期 | 2004.12.01 |
| 申请号 | CN00800223.1 | 申请日期 | 2000.02.24 |
| 申请人 | 特利康控股有限公司 | 发明人 | 克里斯托弗·戴维·多布森 |
| 分类号 | H01L21/311;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/311 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郑修哲 |
| 主权项 | 1.一种处理含碳有机绝缘层的方法，该方法包括：通过一层抗蚀剂将含碳有机绝缘层蚀刻成一形成物；将反应蚀刻气体供应到含有上述抗蚀剂和形成物的室中，使上述反应蚀刻气体与上述抗蚀剂和形成物反应；将上述反应蚀刻气体、氢气和/或氮气供应到上述室中，以除去抗蚀剂，并由此防止在上述形成物裸露表面上吸收水蒸气和/或氧气；在没有上述水蒸气和/或氧气的情况下将导电金属填充进上述形成物中。 | ||
| 地址 | 英国格温特 | ||