Verfahren zur Ausbildung einer Öffnung für einen Kontakt in einem Halbleiterbauelement

摘要

Eine Ätzrate einer Nitrid-Linerschicht wird in Bezug auf eine Ätzrate einer Nitrid-Kappenschicht verbessert. Die Nitrid-Linerschicht wird an einem freiliegenden Abschnitt eines Substrats benachbart zu einer Stapelstruktur angeordnet, welche ebenfalls auf dem Substrat angeordnet ist. Die Nitrid-Kappenschicht wird auf der Stapelstruktur angeordnet. Eine Oxid-Abstandsschicht wird entlang von Seitenwänden der Stapelstruktur ausgebildet. Die Nitrid-Linerschicht wird strukturiert und geätzt, um zumindest eine Öffnung darin zum Substrat auszubilden, während die Nitrid-Kappenschicht im Wesentlichen unversehrt bleibt.