半导体掺杂制程的检测方法

摘要

一种半导体掺杂制程的检测方法，适用于检测一半导体于掺杂过程中是否有金属团簇析出，该检测方法包含以下步骤：(A)以一高频复数阻抗分析仪量测出所述半导体之阻抗频谱。(B)取阻抗频谱之实部的对数为横轴，虚部之对数为纵轴绘图并求取特征斜率。(C)如该特征斜率为0.5，代表所述半导体中仅有一种介电迟豫行为产生，亦即半导体掺杂过程中无金属团簇的析出。藉以提供一种简便、快速又可靠以检测半导体内是否有金属奈米团簇析出，以迅速辨别半导体掺杂制程的品质优劣。