| 发明名称 | 蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法 | ||
| 摘要 | 一种蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法，此方法首先提供一磷酸槽，并且在磷酸槽的侧边装设一声波产生器。接着，将一晶圆浸入磷酸槽中，其中晶圆上已形成有一氮化硅薄膜。之后，开启声波产生器，以使晶圆上的氮化硅薄膜被蚀刻或移除。由于本发明在磷酸槽的侧边装设有声波产生器，因此可以帮助磷酸槽中的浓磷酸与水之间混合的均匀度，进而促进蚀刻的均匀度。 | ||
| 申请公布号 | CN1549311A | 申请公布日期 | 2004.11.24 |
| 申请号 | CN03131407.4 | 申请日期 | 2003.05.12 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张庆裕 |
| 分类号 | H01L21/311;H01L21/318;C23F1/24 | 主分类号 | H01L21/311 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种蚀刻氮化硅薄膜的设备，其特征是，该设备包括：一磷酸槽；一加水单元；一管件，连接在该磷酸槽与该加水单元之间；一加热装置，配置在该磷酸槽的底部；以及一声波产生器，配置在该磷酸槽的侧边。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||