发明名称 |
荧光体及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了在紫外线和可见光激发下发光的绿色荧光体,与以往的稀土激活赛纶荧光体相比,其绿色亮度更高,与以往的氧化物荧光体相比,其耐久性更好。在具有β型Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>晶体结构的氮化物或氮氧化物晶体中固溶Eu,成功地得到通过照射激发源而发出在500nm~600nm范围的波长具有发光峰的荧光的荧光体。在500nm~600nm波长范围内的发光强度高,是优异的绿色荧光体。 |
申请公布号 |
CN101146891A |
申请公布日期 |
2008.03.19 |
申请号 |
CN200680009535.9 |
申请日期 |
2006.03.20 |
申请人 |
独立行政法人物质·材料研究机构 |
发明人 |
广崎尚登 |
分类号 |
C09K11/64(2006.01);C09K11/08(2006.01);H01L33/00(2006.01) |
主分类号 |
C09K11/64(2006.01) |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 |
代理人 |
葛松生 |
主权项 |
1.一种荧光体,其含有在具有β型Si3N4晶体结构的晶体中固溶Eu的赛纶晶体,通过照射激发源而发出在500nm~600nm范围的波长具有发光峰的绿色荧光,所述的β型Si3N4晶体结构由组成式EuaSibAlcOdNe表示,式中,a+b+c+d+e=1,且参数a、c、d满足下列条件:0.00035≤a≤0.002 ......(1)0.008≤c≤0.025 ......(2)0.0005≤d≤0.01 ......(3)。 |
地址 |
日本茨城县 |