发明名称 半桥电路
摘要 半桥电路包括用于驱动各个下部晶体管(T1)和上部晶体管(T2)的低端驱动模块(110)和高端驱动模块(210)。每个驱动模块(110,210)是电荷俘获电路,其中低端驱动模块(110)用电容性负载(C)上的电荷驱动低端晶体管(T1),以及高端驱动模块(210)在它被高电压源驱动时交替地重新充电该电容性负载(C)。每个电荷俘获电路(110,210)还包括二极管(D1,D2),它阻止在被驱动的晶体管(T1,T2)的栅极上电荷的非故意损失,以及包括齐纳二极管(Z1,Z2),它把栅极电压箝位在安全电平。这样,半桥电路被有效地驱动,而不需要辅助电源。
申请公布号 CN1550066A 申请公布日期 2004.11.24
申请号 CN02816843.7 申请日期 2002.07.12
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 T·米德尔;S·范登埃肖特
分类号 H03K17/687;H03K17/06 主分类号 H03K17/687
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 程天正;张志醒
主权项 1.一种半桥电路,包括:上部晶体管(T2),其具有一源极被连接到输出端(120),以及具有一漏极被连接到轨(130)用于施加高直流电压;下部晶体管(T1),其具有一源极被连接到轨(140)用于施加低直流电压,以及具有一漏极被连接到输出端(120);上部晶体管控制电路(HS),用于通过把一个信号施加到上部晶体管(T1)的控制端而驱动该上部晶体管(T2);以及下部晶体管控制电路(110),用于通过把一个信号施加到下部晶体管(T1)的控制端而驱动下部晶体管(T1),该下部晶体管控制电路(110)包括:第三晶体管(T3),其具有一漏极被连接到输出端(120),以及其具有一源极被连接到二极管(D1)的阳极,该二极管(D1)的阴极被连接到下部晶体管(T1)的控制端;以及第四晶体管(T4),其具有一漏极被连接到下部晶体管(T1)的控制端,以及其具有一源极被连接到用于施加低直流电压的轨(140)。
地址 荷兰艾恩德霍芬