可发光之光学元件

摘要

本发明系揭露一种可发光之光学元件，其系在一基板上磊晶形成一磷化硼缓冲层后，续于该磷化硼缓冲层上形成一半导体层、吸收层以及一活化层，其中该吸收层系由铝铟镓化合物所形成之多量子井结构，可吸收该可发光之光学元件结构内所产生的机械应力，使其后续之磊晶过程形成过程具有较完美之晶体结构，更进一步达成提升元件发光效率、亮度与使用寿命等功效。

主权项

1.一种可发光之光学元件,包括:一矽基板;一磷化硼缓冲层,位于该矽基板上;一半导体层,形成于该磷化硼缓冲层上;一吸收层,形成于该第一半导体层上,该吸收层之材料系为AlyInxxGa1-(x+y)N,其中y>0.05,x>0.3;以及一活化层,形成于该吸收层上。2.如申请专利范围第1项所述之可发光之光学元件,其中该矽基板系由单晶矽所构成。3.如申请专利范围第1项所述之可发光之光学元件,其中该半导体层其材质可为氮化镓化合物。4.如申请专利范围第1项所述之可发光之光学元件,其中该活化层之材料亦为氮化镓系化合物。5.如申请专利范围第1项所述之可发光之光学元件,其中该磷化硼缓冲层系为单晶结构。6.如申请专利范围第1项所述之可发光之光学元件,其中该半导体层更具有一N型及P型半导体层,且该活化层与该吸收层位于该N型及P型半导体层之间。图式简单说明:第一图:为习知之可发光之光学元件剖视图;第二图:为本发明之可发光之光学元件剖视图。