Halbleiterlaservorrichtung

摘要

Eine Halbleiterlaservorrichtung enthält einen dielektrischen Mehrschichtfilm mit einem Reflexionsgrad von 40% oder mehr, der auf mindestens einer der optischen Austrittsflächen eines Laserchips ausgebildet ist, wobei der dielektrische Mehrschichtfilm einen dielektrischen Film aus Tantaloxid (Ta¶2¶O¶5¶) und einen anderen dielektrischen Film aus dielektrischem Oxid, wie zum Beispiel Aluminiumoxid (Al¶2¶O¶3¶) oder Siliziumoxid (SiO¶2¶), enthält. Der Tantaloxidfilm weist einen optischen Absorptionskoeffizienten auf, der kleiner ist als der des Siliziumfilms (Si), und eine thermische Stabilität bei der Ausstrahlung, die der des Titanoxidfilms (TiO¶2¶) überlegen ist, wodurch der COD-Abbaupegel merklich verbessert wird.