非挥发性半导体记忆装置

摘要

形态之非挥发性半导体记忆装置之特征在于具备：单元阵列，该单元阵列具有互相交叉之位元线及源极线、将配置于上述位元线及源极线间且包含具有控制闸极及电荷蓄积层之电晶体之记忆体单元串联连接复数个之单元串、及与上述单元串之各记忆体单元之控制闸极连接之字元线；及资料写入部，其重复执行包含资料写入时对选择之上述字元线施加程式电压，且对其他非选择之上述字元线施加通过电压之编程动作的写入回圈；将第n次写入回圈所使用之上述通过电压与第n+1次写入回圈所使用之上述通过电压之差表示为△Vn之情形，且L

主权项

一种非挥发性半导体记忆装置，其特征在于具备：单元阵列(cell array)，该单元阵列具有互相交叉之位元线及源极线、将配置于上述位元线及源极线间且包含具有控制闸极及电荷蓄积层之电晶体之记忆体单元复数个串联连接后之单元串、及与上述单元串之各记忆体单元之控制闸极连接之字元线；及资料写入部，其重复执行写入回圈(loop)，该写入回圈包含：资料写入时对选择之上述字元线施加程式电压，且对其他非选择之上述字元线之任一者施加通过电压之编程动作；且将第n次写入回圈所使用之上述通过电压与第n+1次写入回圈所使用之上述通过电压之差表示为△Vu之情形，且L