半导体装置之制造方法

摘要

提供一种半导体装置之制造方法，此法可抑制离子注入于闸极之硼闸绝缘膜之穿透，且，可抑制通道区域之移动度之降低。半导体装置之制造方法，包含有：闸绝缘层形成工程，系在半导体基板之活性区域上形成闸绝缘层；氮导入工程，系藉活性氮从上述闸绝缘层表面侧导入氮；及退火处理工程，系在NO气体氛围气中施工退火处理，以便在导入有氮之闸绝缘层内，在表面侧保持氮之高浓度分布，并在同半导体基板之界面保持氮之低浓度分布。