发明名称 | 制造嵌入式元件的方法 | ||
摘要 | 一种制造嵌入式元件的方法,其包括:提供包含第一区域及第二区域的基板,在基板上形成闸极介电层,在闸极介电层上形成闸极层,在第一区域及第二区域上的闸极层植入第一型杂质离子,在第一区域植入第一型杂质的闸极层形成至少一唯读记忆晶胞,且在第二区域植入第一型杂质的闸极层形成至少一非记忆记忆晶胞。 | ||
申请公布号 | TW200425291 | 申请公布日期 | 2004.11.16 |
申请号 | TW092112214 | 申请日期 | 2003.05.05 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘光文 |
分类号 | H01L21/26;H01L21/8246 | 主分类号 | H01L21/26 |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学园区力行路十六号 |