发明名称 制造嵌入式元件的方法
摘要 一种制造嵌入式元件的方法,其包括:提供包含第一区域及第二区域的基板,在基板上形成闸极介电层,在闸极介电层上形成闸极层,在第一区域及第二区域上的闸极层植入第一型杂质离子,在第一区域植入第一型杂质的闸极层形成至少一唯读记忆晶胞,且在第二区域植入第一型杂质的闸极层形成至少一非记忆记忆晶胞。
申请公布号 TW200425291 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092112214 申请日期 2003.05.05
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 刘光文
分类号 H01L21/26;H01L21/8246 主分类号 H01L21/26
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路十六号