| 发明名称 |
Semiconductor memory with floating gate type FET |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US6815759(B2) |
申请公布日期 |
2004.11.09 |
| 申请号 |
US20000726386 |
申请日期 |
2000.12.01 |
| 申请人 |
FUJITSU LTD |
发明人 |
HORIGUCHI NAOTO;USUKI TATSUYA;GOTO KENICHI |
| 分类号 |
H01L21/8247;G11C16/04;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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