Struktur und Verfahren zur verbesserten Isolation in Grabenspeicherzellen

摘要

Es werden eine Grabenkondensatorstruktur zur verbesserten Ladungshaltung und ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitgestellt. Ein Graben wird in einem p-leitenden Halbleitersubstrat ausgebildet. Ein Isolationskragen liegt in einem oberen Teil des Grabens. Das Substrat neben dem oberen Teil des Grabens enthält ein erstes n·+·-leitendes Gebiet und ein zweites n·+·-leitendes Gebiet. Diese Gebiete stoßen jeweils an eine Wand des Grabens an und sind durch einen Teil des p-leitenden Halbleitersubstrats vertikal voneinander getrennt. Ein den Umfang des Grabens umgebender Hohlraum ist in der Wand des Grabens ausgebildet und liegt in dem Substrat zwischen dem ersten und zweiten n·+·-leitenden Gebiet.