DIFFUSIONSBARIERESCHICHT FUER INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNGEN.,申请号DE19853574528-传众专利搜索

发明名称	DIFFUSIONSBARIERESCHICHT FUER INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNGEN.
摘要	Titanium carbonitride has been discovered to be an effective diffusion barrier material for use in metallization structure for MOS integrated-circuit devices. A layer of the material (24) deposited under aluminum (22) prevents deleterious aluminum-silicon or aluminum-silicide interactions.
申请公布号	DE3574528(D1)	申请公布日期	1990.01.04
申请号	DE19853574528	申请日期	1985.07.03
申请人	AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH CO., NEW YORK, N.Y., US	发明人	DEAN, EARL, ROBERT, HIGH BRIDGE, NJ 08829, US;STAROV, VLADIMIR, BERKELEY HEIGHTS, NJ 07922, US
分类号	H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/336;H01L23/532;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L23/48	主分类号	H01L21/3205
代理机构		代理人
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