| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von hochdotiertem Silicium |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE69820940(T2) |
申请公布日期 |
2004.11.04 |
| 申请号 |
DE19986020940T |
申请日期 |
1998.08.20 |
| 申请人 |
JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORP., KAWAGUCHI |
发明人 |
YOSHIDA, HIROSHI |
| 分类号 |
C30B29/06;C30B15/00;C30B23/02;C30B25/02;C30B31/00;H01L21/02;H01L21/203;H01L21/208;H01L21/28;H01L21/3205;H01L23/52;H01L29/167;(IPC1-7):C30B29/06 |
主分类号 |
C30B29/06 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
