Grabenkondensator mit vergrabener Kontaktbrücke

摘要

Ein Grabenkondensator mit verbesserter Kontaktbrücke wird offenbart. Die Kontaktbrücke ist über der oberen Oberfläche des Kondensators angeordnet. Die obere Oberfläche des Grabenkondensators, die durch die oberen Oberflächen des Kragens und der Speicherplatte gebildet wird, ist planar. Indem die Kontaktbrücke auf einer planaren Oberfläche angeordnet wird, wird die in herkömmlichen Prozessen zum Ausbilden von Kontaktbrücken vorliegende Ausnehmung vermieden. Dies führt zu verbesserter Zuverlässigkeit der Kontaktbrücken und verbesserten Eigenschaften des Bauelements.