一种金属线间介质膜的两步淀积工艺

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种金属互连线间介质膜的两步淀积工艺。由于产品的不断更新和多样化，以及顾客的各种要求，需要对工艺中出现的各种新问题进行不断的研究，并加以解决。比如，为了提高高密度等离子体(HDP)化学气相淀积(CVD)设备的产额，需要对HDPCVD工艺进行优化处理。HDPCVD工艺主要用于填空。本发明针对金属线间槽深A，槽宽R，高宽比A/R≤2.3的介质填充，提出了一种两步淀积法工艺，使得淀积时间缩短了20－30％，从而提高HDPCVD设备的产额。

主权项

1.一种金属线间介质膜的HDPCVD淀积工艺，针对金属互连线间槽深A、槽宽R，高宽比A/R≤2.3的金属线结构，其特征在于采用两步淀积法：第一步淀积D/S为3.3-3.4，厚度为400-500nm；第二步淀积D/S为5.8-6.2，厚度为350-450nm；其总厚度为800-900nm，与槽深基本相等；这两步淀积是一次性连续在工作腔内完成。