发明名称 A high voltage breakdown isolation semiconductor device and manufacturing process for making the device
摘要
申请公布号 EP0782194(B1) 申请公布日期 2004.10.27
申请号 EP19960114981 申请日期 1996.09.18
申请人 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 发明人 NAGATANI, TATSUHIKO;TERASHIMA, TOMOHIDE
分类号 H01L27/06;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/761;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/06;(IPC1-7):H01L27/088;H01L21/823 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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