| 发明名称 |
Halbleiterspeichervorrichtung mit über Leckdetektionsmittel gesteuerter Substratspannungserzeugungsschaltung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19727262(B4) |
申请公布日期 |
2004.10.21 |
| 申请号 |
DE19971027262 |
申请日期 |
1997.06.26 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
FUKUDA, TATSUYA |
| 分类号 |
G11C11/408;G11C5/14;G11C7/06;G11C7/14;G11C11/4074;G11C29/50;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):G11C11/401;G11C11/407;G11C29/00 |
主分类号 |
G11C11/408 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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