氮化铝质材料及半导体制造装置用构件

摘要

〔课题〕提出一种以氮化铝为基本成分，并于室温中具有低体积电阻率之新氮化铝质材料。〔解决手段〕一种氮化铝质材料，系以氮化铝为主要成分，铕含量以氧化物换算为0.03mol％以上，包含氮化铝相与铕–铝氧化物相。再者，本发明又提出一种氮化铝质材料，系以氮化铝为主要成分，铕与钐总含量以氧化物换算为0.09mol％以上，包括氮化铝相、及至少含有铕与铝之复合氧化物相。