| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为备有:基板;熔丝,形成于上述基板上方,并经光的照射便可切断;以及绝缘膜,形成于上述熔丝上方与上述基板上方,上述绝缘膜系具备有:配置于上述基板上方,且其表面形成于较上述熔丝表面位于上方处的平坦部;以及在上述熔丝上方,从上述平坦部延续形成,且较上述平坦面表面更加突出的突出部。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,在上述熔丝的光照射部分的截面中,上述突出部系呈三角山状突出。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,上述突出部的山状部分,对上述平坦部呈现倾斜角度40~70度的角度。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置,其中,上述熔丝包括有:障壁金属层;形成于上述障壁金属层上方的金属层;以及形成于上述金属层上方的抗反射膜层。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置,其中,上述绝缘膜系在半导体装置的最上层,而上述熔丝系配置于上述绝缘膜的正下方。6.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置,其中,上述熔丝的光照射部分的截面中,上述突出部的宽度在上述熔丝的宽度以上。7.如申请专利范围第1至3项中任一项之半导体装置,其中,上述熔丝的光照射部分的截面中,上述熔丝的宽度为0.6~1.2m。8.一种半导体装置之制造方法,其特征为备有:在基板上方形成经光的照射便可切断之熔丝的熔丝形成步骤;以及在上述熔丝上方,形成具有位于高出上述熔丝表面之平坦部与在熔丝上方较上述平坦部突出之突出部的绝缘膜之绝缘膜形成步骤,上述绝缘膜形成步骤系藉由高密度电浆CVD法而进行。9.一种半导体装置之制造方法,其特征为备有:在基板上方形成经光的照射便可切断之熔丝的熔丝形成步骤;在上述熔丝上方,形成具有位于高出上述熔丝表面之平坦部与在熔丝上方较上述平坦部突出之突出部的绝缘膜之绝缘膜形成步骤;以及切断上述熔丝的熔丝切断步骤,上述熔丝切断步骤系利用光照射上述突出部而进行。图式简单说明:图1为说明本发明实施形态中之熔丝用的上面图。图2为说明本发明实施形态中之半导体装置用的剖视示意图。图3为说明本发明实施形态中之半导体装置用的剖视示意图。图4为说明本发明实施形态中,雷射光照射于熔丝中之状态用的剖视示意图。图5(a)、(b)为说明本发明实施形态中,熔丝遭受破坏状态用的示意图。图6为说明本发明实施形态中,半导体装置之制造方法用的流程图。图7为说明习知半导体装置中所采用已形成熔丝之部分用的剖视图。图8(a)、(b)为切断熔丝状态的剖视图。 |
