| 发明名称 | 合成激光的调芯方法及激光合成光源 | ||
| 摘要 | 激光合成光源中，缩短光源到启动的时间。在正常调温状态下，将由多个半导体激光器LD(1～LD7)射出的各条激光束形成的整个光束BB，通过准直透镜(11～17)和聚光透镜(20)进行聚焦，射入光纤(30)的具有小于或等于1/2的芯中(30a)直径的该芯部端面中的同心区域内，在芯部(30a)中合成。在芯部(30a)中合成的激光束，通过该光纤(30)，从射出端(30E)射出。 | ||
| 申请公布号 | CN1532581A | 申请公布日期 | 2004.09.29 |
| 申请号 | CN200410031795.9 | 申请日期 | 2004.03.25 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 寺村友一;冈崎洋二 |
| 分类号 | G02B26/10 | 主分类号 | G02B26/10 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种合成激光的光调芯方法，适用于激光合成光源，其使由多个半导体激光器射出的各个激光束形成的整个光束通过光束聚焦装置进行聚焦，并使所述整个光束射入1条光纤入射端的芯部后在该光纤中进行合成，并使所述整个光束从所述光纤射出端射出，其特征在于，所述激光合成光源处于正常调温状态时，使所述光纤的入射端，相对于该入射端的端面平行的方向上移动，以使到所述芯部的所述整个光束的入射中心位置，在通过该芯部中心的直径方向上移动，求出从该光纤射出端射出的所述整个光束光强度，并确定成为比移动所述光纤入射端获得的所述射出端射出的整个光束最大光强度小的特定光强度的所述入射端的2处位置，使所述光纤的芯部中心位于所述2处入射端位置的中心处。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||