| 发明名称 | 控制MOCVD淀积的PCMO组成的先驱物溶液和方法 | ||
| 摘要 | 提供一种单一溶液MOCVD先驱物，以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度，根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比，控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度，蒸发器温度或其两者而进一步控制。 | ||
| 申请公布号 | CN1532303A | 申请公布日期 | 2004.09.29 |
| 申请号 | CN200410030292.X | 申请日期 | 2004.02.27 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 李廷凯;庄维佛;L·J·查内斯基;D·R·埃文斯;许胜籐 |
| 分类号 | C23C16/40;H01C17/14 | 主分类号 | C23C16/40 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张天安;郑建晖 |
| 主权项 | 1.一种淀积PCMO的单一溶液MOCVD先驱物，包含溶解于有机溶剂中的Pr(tmhd)3先驱物、Mn(tmhd)3先驱物和钙先驱物。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||