| 发明名称 | 快速生长纳米硅丝的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的快速生长纳米硅丝的方法步骤如下：首先将抛光硅片进行化学清洗，去除硅片表面的杂质，然后利用镀膜设备在硅片表面镀一层金属膜作为催化剂，再将其置入快速热处理设备中，在1～10秒内升温至800～1250℃，于保护气下热处理10～500秒，冷却。本发明采用快速热处理，在镀催化剂的硅片表面生长纳米硅丝，热处理时间短，只需要几十秒就可制备出大量的纳米硅丝，设备简单，成本低，产率高，可望大规模推广使用。 | ||
| 申请公布号 | CN1528957A | 申请公布日期 | 2004.09.15 |
| 申请号 | CN200310108004.3 | 申请日期 | 2003.10.15 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 汪雷;卢晓敏;杨德仁 |
| 分类号 | C30B29/62;C30B29/06;H01L21/20;H01L21/36;H01L33/00 | 主分类号 | C30B29/62 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.快速生长纳米硅丝的方法，其特征是步骤如下：首先将抛光硅片进行化学清洗，去除硅片表面的杂质，然后利用镀膜设备在硅片表面镀一层金属膜作为催化剂，再将其置入快速热处理设备中，在1～10秒内升温至800～1250℃，于保护气下热处理10～500秒，冷却即可。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号 | ||