Vorrichtung und Verfahren zur Dünnschichtmetrologie

摘要

Es ist eine Vorrichtung (1) und ein Verfahren zur Dünnschicht-Metrologie von Halbleitersubstraten (16) offenbart. Die Halbleitersubstrate (16) werden mittels mindestens einem Kassettenelement an die Vorrichtung (1) geliefert bzw. transportiert. In der Vorrichtung (1) ist eine Messeinheit (5) für die Mikro-Dünnschichtmetrologie vorgesehen, wobei die Halbleitersubstrate von dem Kassettenelement (3) zu der Messeinheit (5) für die Mikro-Dünnschichtmetrologie mittels eines Transportmechanismus (7) befördert werden. Im Bereich des Transportmechanismus (7) ist nach dem Kassettenelement (3) eine Messeinheit (9) für die Makro-Dünnschichtmetrologie vorgesehen. Mittels der Messeinheit (9) für die Makro-Dünnschichtmetrologie können schnell Messorte (22) auf dem Halbleitersubstrat gefunden werden, die eine genauere Untersuchung in der Messeinheit (5) für die Mikro-Dünnschichtmetrologie erforderlich machen.