| 主权项 |
1.一种微影制程对准方法,适用于一离子植入制程中对准图案的形成,该微影制程对准方法至少包括下列步骤:提供一基底,该基底至少具有一元件区及一对准图案区;形成一第一图案化光阻层覆盖于该基底表面,该第一图案化光阻层至少包括一对准图案位于该对准图案区中,及一离子植入图案位于该元件区;以该第一图案化光阻层为罩幕,进行一离子植入步骤,使得未覆盖该图案化光阻层的部分形成复数个掺杂区;形成一第二图案化光阻层覆盖该第一图案化光阻层之该离子植入图案,并暴露出该对准图案;以该对准图案为罩幕,进行一蚀刻步骤,使得该基底形成复数个对准凹陷区域;以及去除该第二图案化光阻层及该第一图案化光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之微影制程对准方法,其中该第一图案化光阻层及该第二图案化光阻层为相异之材质。3.如申请专利范围第1项所述之微影制程对准方法,其中形成该第二图案化光阻层之前更包括形成一底反反射层,而该第二图案化光阻层暴露出对应该对准图案表面的该底反反射层。4.如申请专利范围第3项所述之微影制程对准方法,其中该第一图案化光阻层及该第二图案化光阻层为相同之材质。5.如申请专利范围第3项所述之微影制程对准方法,其中该蚀刻步骤中先去除暴露出的该底反反射层,再进一步蚀刻该基底。6.如申请专利范围第3项所述之微影制程对准方法,其中该底反反射层之材质包括高分子聚合物。7.一种微影制程对准方法,适用于一离子植入制程中对准图案的形成,该微影制程对准方法至少包括下列步骤:提供一基底,该基底至少具有一元件区及一对准图案区;形成一第一图案化光阻层覆盖于该基底表面,该第一图案化光阻层至少包括一对准图案位于该对准图案区中,及一离子植入图案位于该元件区;以该第一图案化光阻层为罩幕,进行一离子植入步骤,使得未覆盖该图案化光阻层的部分形成复数个掺杂区;形成一底反反射层于该第一图案化光阻层表面;形成一第二图案化光阻层于该底反反射层表面,覆盖该元件区,并暴露出该对准图案区的该底反反射层;去除暴露出之该底反反射层;以该对准图案为罩幕,进行一蚀刻步骤,使得该基底形成复数个对准凹陷区域;以及依序去除该第二图案化光阻层、该底反反射层及该第一图案化光阻层。8.如申请专利范围第7项所述之微影制程对准方法,其中该第一图案化光阻层及该第二图案化光阻层为相异之材质。9.如申请专利范围第7项所述之微影制程对准方法,其中该第一图案化光阻层及该第二图案化光阻层为相同之材质。10.如申请专利范围第7项所述之微影制程对准方法,其中该底反反射层之材质包括高分子聚合物。11.一种微影制程对准方法,至少包括下列步骤:提供一基底,该基底至少具有一元件区及一对准图案区;形成一图案化牺牲层覆盖于该基底表面,该图案化牺牲层至少包括一对准图案位于该对准图案区中;以该图案化牺牲层为罩幕,进行一第一制程步骤;形成一图案化光阻层覆盖该图案化牺牲层,并暴露出该对准图案;以该对准图案为罩幕,进行一第二制程步骤,使得该基底形成复数个具有阶梯高度差的对准区域;以及去除该图案化光阻层及该图案化牺牲层。12.如申请专利范围第11项所述之微影制程对准方法,其中该图案化牺牲层之材质系选自于由氧化矽,氮化矽及光阻所组成的族群中的一种材质。13.如申请专利范围第11项所述之微影制程对准方法,其中该第一制程步骤包括一离子植入制程。14.如申请专利范围第11项所述之微影制程对准方法,其中该第一制程步骤包括一蚀刻步骤。15.如申请专利范围第11项所述之微影制程对准方法,其中该第二制程步骤包括一蚀刻步骤。16.如申请专利范围第11项所述之微影制程对准方法,其中该第二制程步骤包括一氧化步骤。17.如申请专利范围第11项所述之微影制程对准方法,其中形成该图案化光阻层之前更包括:形成一底反反射层于该图案化牺牲层表面,而该图案化光阻层暴露出对应该对准图案表面的该底反反射层,且该底反反射层暴露出该对准图案。18.如申请专利范围第17项所述之微影制程对准方法,其中该图案化牺牲层及该图案化光阻层为相同之材质。19.如申请专利范围第11项所述之微影制程对准方法,其中该第二制程步骤包括蚀刻。20.如申请专利范围第11项所述之微影制程对准方法,其中该第一制程步骤为一离子植入步骤,且该第二制程步骤包括一离子植入步骤及一氧化步骤。图式简单说明:第1A-1D图所示为习知离子植入制程中对准图案形成的流程剖面图。第2A-2G图所示为根据本发明第一实施例的微影对准图案制程剖面图。第3A-3G图所示为根据本发明第二实施例的微影对准图案制程剖面图。 |
