利用蚀刻矽基板表面提高元件发光效率之方法

摘要

本发明系揭露一种利用蚀刻矽基板表面提高元件发光效率之方法，其系在形成奈米粒子层以及导电层之前，先利用化学蚀刻移除矽基板表面能阶或表面缺限，以减少矽基板表面的非幅射式电子电洞之复合中心，令金氧矽发光元件的幅射式电子电洞之复合比例提高，使得金氧矽结构产生光时，发光效率大幅提高。且该蚀刻步骤亦可在基板上造成奈米级的表面结构，以提高电子电洞对与声子碰撞机率，并使得发光效率相对增强。