摘要 |
提供一种正确模拟电晶体特性的劣化量及回复量,能可靠性良好的设计半导体装置的模拟器及其方法。对电晶体的闸极施加负电位的闸极电压(负型偏压电压)Vg的话,电晶体的特性会劣化。解除负电位的闸极电压Vg的施加的话(施加偏压自由电压的话),劣化的电晶体特性会回复。于劣化期间和回复期间,就闸极电压的施加时间t取得对数log(t),应用依存在负型偏压电压的常数CD、BD,计算劣化量△PD(t)=CD+BDlog(t),应用依存在偏压自由电压的常数CR、BR,计算回复量△PR(t)=CR+BRlog(t),总和劣化量(△PD)、回复量(△PR)及基础劣化量(XD)。最好区分时间经过,应用各时间范围的每个不同的劣化函数和回复函数,求得各时间范围的每个劣化量和回复量。 |