| 发明名称 | 氮化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。 | ||
| 申请公布号 | CN1525612A | 申请公布日期 | 2004.09.01 |
| 申请号 | CN200410003721.4 | 申请日期 | 1996.11.06 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 中村修二;长滨慎一;岩佐成人 |
| 分类号 | H01S5/343;H01L33/00;H01L31/00 | 主分类号 | H01S5/343 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;黄敏 |
| 主权项 | 1.一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件，包含：量子阱结构有源层，具有第一表面和第二表面且由含铟氮化物半导体构成；第一氮化物半导体层，形成为邻接有源层的第一表面且具有比有源层大的带隙能量；第二氮化物半导体层，形成在有源层的第一表面一侧，比第一氮化物半导体层离有源层远，且具有比第一氮化物半导体层小的带隙能量；以及第三氮化物半导体层，形成在有源层的第一表面一侧，比第二氮化物半导体层离有源层远，并且具有比第二氮化物半导体层大的带隙能量和具有比第一氮化物半导体层大的厚度。 | ||
| 地址 | 日本德岛县阿南市 | ||