| 发明名称 | 金属离子扩散阻挡层 | ||
| 摘要 | 一种集成电路，包括形成到由半导体材料制成的衬底中的固态器件的子组件。组件内的该器件通过由导电金属形成的金属布线连接。具有Si<SUB>w</SUB>C<SUB>x</SUB>O<SUB>y</SUB>H<SUB>z</SUB>组成的合金膜的扩散阻挡层与金属布线接触，其中w的值为10－33原子％，优选18－20原子％，x的值为1－66原子％，优选18－21原子％，y值为1－66原子％，优选5－38原子％，z值为0.1－60原子％，优选25－32原子％，w+x+y+z＝100原子％。 | ||
| 申请公布号 | CN1524291A | 申请公布日期 | 2004.08.25 |
| 申请号 | CN02803438.4 | 申请日期 | 2002.01.03 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | M·洛博达 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/316 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，该集成电路由形成到由半导体材料制成的衬底中的固态器件的子组件、连接所述固态器件的金属布线和至少形成在金属布线上的扩散阻挡层构成，其中所述扩散阻挡层是具有SiwCxOyHz组成的合金膜，其中w的值为10-33，x的值为1-66，y值为1-66，z值为0.1-60，并且w+x+y+z＝100原子％。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||