| 发明名称 | 预防自对准金属硅化物桥接的半导体结构及其方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种预防自对准金属硅化物桥接的半导体结构及其方法，该半导体结构包含一内存阵列结构，该内存阵列结构包含多条平行的字符线；多条平行的位线，其中该每条字符线与该每条位线垂直；以及一第一虚拟字符线，设置于该内存阵列的周边区域，其中该第一虚拟字符线平行于该多条字符线，并与至少两不相邻的位线重叠；本发明的半导体结构采用本发明的方法制造的可防止自对准金属硅化物桥接现象的发生而导致的内存集成电路无效。 | ||
| 申请公布号 | CN1521849A | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN03101298.1 | 申请日期 | 2003.01.27 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张财福;朱世麟;叶清本 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L23/52;H01L21/768 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英;潘培坤 |
| 主权项 | 1、一种预防自对准金属硅化物桥接的半导体结构，具有一内存阵列结构，该内存阵列结构包含：多条平行的字符线；多条平行的位线，其中该每条字符线与该每条位线垂直；以及一第一虚拟字符线，设置于该内存阵列的周边区域，其中该第一虚拟字符线平行于该多条字符线，并与至少两不相邻的位线重叠。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||