半导体装置以及其试验方法

摘要

本发明提供一种，在半导体开关的特性试验中无需试验专用的端子便可以提高试验精度的半导体装置的试验方法。在半导体装置(100)的特性试验时，第1输出电路对应的控制电路(102)把P型MIS晶体管T_P1以及N型MIS晶体管T_N1双方设成导通状态，而第2输出电路对应的控制电路(102)则把P型MIS晶体管T_P2设成导通状态把N型MIS晶体管T_N2设成闭合状态。从探针#1至探针#4之间连接电流源，因而根据使用探针#2、#3测量第1输出电路中输出端子Doutl与第2输出电路中输出端子Dout2间的电位差，从而测量P型MIS晶体管T_P1的导通电阻。

主权项

1.一种半导体装置的试验方法，是对于具有，第1电源线、第2电源线、以及具有分别串联在前述第1电源线与第2电源线之间的第1以及第2半导体开关以及连接在前述第1半导体开关与前述第2半导体开关之间的中间节点的输出端子的第1以及第2输出电路的半导体装置进行试验的方法，其特征在于，把所述第1输出电路中的所述第1以及第2半导体开关双方设成导通状态的同时，把所述第2输出电路中的所述第1以及第2半导体开关的一方设成导通状态而另一方设成闭合状态，根据所述第1输出电路中输出端子与所述第2输出电路中输出端子间的电压以及流过所述第1输出电路的贯通电流，测量所述第1输出电路中的所述第1或第2半导体开关的特性。