| 发明名称 | 绝缘膜氮化方法、半导体装置及其制造方法、基板处理装置和基板处理方法 | ||
| 摘要 | 利用高频等离子体形成氮游离基，通过将所述氮游离基提供给包含氧的绝缘膜表面，使所述绝缘膜表面氮化。含有所述氧的绝缘膜具有0.4nm以下的膜厚，在将所述表面氮化后的绝缘膜上形成高介电体膜。所述氮游离基借助按照沿着所述绝缘膜的表面流动的方式而形成的气流而得以提供。 | ||
| 申请公布号 | CN1518761A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN02805783.X | 申请日期 | 2002.12.05 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 井下田真信;青山真太郎;神力博;高桥毅 |
| 分类号 | H01L21/318;H01L21/31;H01L21/316;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/318 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种绝缘膜的氮化方法，其特征为，包含：利用高频等离子体形成氮游离基的工序；和向包含氧的绝缘膜表面供给所述氮游离基、使所述绝缘膜表面氮化的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||