发明名称 具有副放大器结构的半导体存储装置
摘要 通过在N沟道MOS晶体管(103)的源极上连接读出放大器驱动线(S2N),即使控制信号(LAMPE)成为H电平,由于读出放大器驱动线(S2N)和(LIO)线对均为预充电电位(VBL),所以N沟道MOS晶体管(101、102)的栅极-源极之间的电压(Vgs)成为0V,副放大器(100)不动作。因此,不用增加提供行块激活传送的信号的电路结构,节省了半导体存储装置的面积。
申请公布号 CN1518001A 申请公布日期 2004.08.04
申请号 CN200310101509.7 申请日期 2003.10.09
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 河野隆司;滨本武史
分类号 G11C11/4063;G11C11/409 主分类号 G11C11/4063
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;叶恺东
主权项 1.一种半导体存储装置,设有,行列状配置的多个存储单元,对应于所述多个存储单元的多个行配置的多条字线,对应于所述多个存储单元的多个列配置的多个位线对,读出并放大由所述多个存储单元读出的数据的多个读出放大器带,以及与所述多个读出放大器带各自相交的多个副字线驱动器带;所述多个读出放大器带各自包含:对应所述多个位线对设置的、读出并放大对应的位线对的电位差的多个读出放大器,所述多个读出放大器共同设置的读出放大器驱动线,以及对应所述多个位线对设置的、各自与对应的位线有选择地连接的多个第一数据线对; 还设有对应于各所述多个第一数据线对设置的多个副放大器;所述多个副放大器各自含有第一、第二与第三晶体管;所述第一晶体管中,控制端子与所述第一数据线对中的一方连接,第一导通端子与所述第一数据线对中的另一方连接,第二导通端子与所述第三晶体管的第一导通端子连接;所述第二晶体管中,控制端子与所述第一数据线对中的另一方连接,第一导通端子与所述第一数据线对中的一方连接,第二导通端子与所述第三晶体管的第一导通端子连接;所述第三晶体管中,从控制端子输入所述副放大器的激活定时控制信号,第二导通端子与所述读出放大器驱动线连接。
地址 日本东京都